CeBIT 2011 – Samsung arata noi tehnologii in domeniul memoriilor
Samsung a aratat anul acesta la CeBIT primele lor chip-uri de memorie construite in tehnologie 2x nm, si desi sunt cam secretosi daca e vorba de 22 sau 28 trebuie sa recunoastem ca e un pas improtant pentru cel mai mare producator de electronice la nivel mondial. Implementarea chip-urilor 2x nm se va face la inceput pentru memoriile tip eMMC din clasa 4.41, destinate in general telefoanelor mobile si altor gadget-uri portabile.
Deasemenea, tot la Samsung ne-au impresionat destul de mult modulele de memorie RAM Registered cu capacitati de 16GB ce folosesc chip-uri DDR3 low-power pe 35nm, precum si micul SO-DIMM de 4GB bazat pe aceleasi chip-uri.
SSD-urile sunt un alt gen de produs cu care Samsung se mandreste, avand expuse modele ce folosesc chip-uri flash pe 35nm si in principal orientate catre zona industriala.
Pe final, nu puteam trece cu vederea chip-urile PRAM de 512Mb construite in tehnologie 45nm; PRAM sau Phase-Change RAM pe numele intreg e o tehnologie noua ce promite scalare mai buna odata cu avansarea procesului de fabricatie si desi e foarte noua (a intrat in productie de mai putin de 2 ani) promite destul de mult pentru memoriile viitorului, mai ales pentru gadget-urile portabile.
Comentarii
2x suna bine…hehe
‘clasa 4.41, destinate in general telefoanelor *mobiel*’. Small typo.
Pai daca nu Samsung, atunci cine? Se vede ca le plac experimentele, dar, daca stai sa te gandesti totul e logic: cel cu bani investeste sa scoata inzecit, insutit dupa caz. 45, 32, 28, 22, 18, 10, 6, exact ca la loto. De fapt, totul e mult mai simplu: evolutie si miniaturizare.
ma bucur ca apare cv nou si mai bun cat despre samsung ei sunt inovatori indomeniu
E bine ca a aparut ceva nou si mai ales samsung