Backpanel si VRM

Pe backpanel-ul placii X870E AORUS Master X3D ICE gasim un total de patru porturi USB Type-C: doua dintre ele ofera suport USB4 (40 Gbps) si functionalitate DisplayPort Alternate Mode, unul este USB 3.2 Gen2x2, iar cel de-al patrulea functioneaza in regim USB 3.2 Gen2. Tot pe panoul spate sunt aliniate sapte porturi USB 3.2 Gen2 Type-A, sase dintre acestea fiind conectate la chipset, in timp ce unul este legat direct la CPU pentru o latenta cat mai redusa.

Mai departe, gasim un port video HDMI 2.1 (4K60), doua porturi RJ45 pentru conectivitatea de retea (5 GbE si 10 GbE), conectorul Quick Connect pentru antenele Wi-Fi 7, precum si conectica audio obisnuita (jack-uri placate cu aur si iesire optica S/PDIF). Daca pe PCB nu mai era loc pentru butoanele Power si Reset, GIGABYTE introduc o solutie inteligenta – sistemul Rear EZ-Buttons, care ofera acces direct pe backpanel la butoanele Power, Reset, Clear CMOS si Q-Flash Plus. Acestea sunt extrem de utile in scenarii de overclocking sau troubleshooting frecvent, permitand acces instant la functii critice fara a fi nevoie sa deschidem carcasa.

Etajul de alimentare al procesorului este alimentat prin doi conectori EPS de 8 pini, iar configuratia VRM este compusa dintr-un total de 18+2+2 faze, cu doua faze mai mult fata de modelul X870E AORUS Master. Sectiunea vCore utilizeaza 9 faze dublate, echipate cu Infineon PMC41430 de 110A, aceleasi componente fiind folosite si pentru cele 2 faze destinate tensiunii vSOC. In paralel, VDD_MISC este alimentat prin 2 faze cu integrate OnSemi NCP302155R, capabile de o sarcina sustinuta de 55A si varfuri de pana la 80A. Controlul acestor etaje este asigurat de Infineon XDPE192C3D pentru vCore si vSOC, in timp ce Richtek RT3672EE gestioneaza liniile auxiliare VDD_MISC.

GIGABYTE au implementat sistemul de racire VRM Thermal Armor Advanced pentru noua generatie de placi X3D – un radiator masiv, realizat dintr-o singura bucata, care acopera complet etajele de alimentare si integreaza un heatpipe de tip direct-touch pentru disiparea rapida a caldurii. Pad-urile termice utilizate sunt de inalta calitate, cu conductivitate de 12 W/mK, asigurand un transfer termic eficient intre MOSFET-uri si radiator. Pe spatele placii se afla un backplate metalic masiv, care acopera aproape intreaga suprafata si indeplineste un dublu rol: ofera rigiditate si protectie mecanica PCB-ului, dar si disipare pasiva a caldurii, datorita pad-urilor termice amplasate in dreptul zonelor critice (spatele VRM-ului, al controller-ului USB4 si al chipset-ului) dupa cum se poate vedea si in pozele de mai jos.