A-Data XPG Plus DDR3 2200 CL8 2.0, AX3U2200PB2G8-DP2 sau Elpida J1108BASE-MNH-E… Daca macar unul dintre aceste coduri va este familiar, inseamna ca ma adresez persoanelor potrivite. Pentru ca vorbim despre unul dintre cele mai bune kituri DDR3 produse vreodata, echipate cu unele dintre cele mai overclockabile chip-uri de memorie produse vreodata. Totusi, daca nimic din ce v-am spus in propozitia anterioara nu va suna cunoscut, nu este nici o problema. Asezati-va comod si haideti sa vorbim putin despre superlativele memoriilor RAM.

Cele mai importante parti componente al unui modul de memorie RAM sunt PCB-ul si IC-urile. PCB-ul (Printed Circuit Board) este suportul pe care sunt dispuse IC-urile (Integrated Circuit, chip-urile de memorie) si asigura alimentarea acestora cu electricitate, transferul datelor, s.a.m.d. IC-urile determina caracteristici ale modulului de memorie, precum capacitatea, frecventa de functionare, latentele suportate, voltajul necesar, s.a.m.d. De-a lungul timpului, fiecare generatie de memorie RAM a avut “vedetele” proprii, fie ca vorbim despre DDR, DDR2 sau DDR3. Cu siguranta ati mai auzit pana acum de Brainpower, Levin, Samsung TCCD , Winbond BH-5 sau Micron D9GMH.

.

.

Vedetele generatiei DDR au fost IC-urile Winbond BH-5, capabile de latente foarte stranse (CL2), dar si mari amatoare de voltaj. Atat de mari amatoare de voltaj, incat au aparut pe piata device-uri speciale pentru a suplini lipsa unui etaj de alimentare destul de puternic pe placa de baza (DDR Booster), pentru a putea hrani insatioasele chip-uri cu pana la 4v. Da, ati citit bine, 4 volti. La polul opus, celelalte vedete ale generatiei DDR au fost memoriile cu chip-uri Samsung TCCD dispuse pe PCB Brainpower. Acestea aveau nevoie de un voltaj mult mai mic pentru a atinge frecvente net superioare BH-5-urilor si aveau o densitate mai mare per chip, insa nu erau capabile de a functiona cu latente la fel de stranse .

.

.

Ceva mai aproape de zilele noastre, modulele Crucial Ballistix, echipate cu IC-uri Micron D9GMH dispuse pe PCB Levin au facut legea  in cadrul generatiei DDR2, atat frecventele atinse, cat si latentele care puteau fi folosite facand din aceste memorii super-star-uri ale generatiei lor. Scalarea cu voltajul era formidabila (inca mai am module care au vazut 3 volti), latentele criminale puteau fi folosite la frecvente foarte ridicate, dar din pacate in lumea overclockerilor kiturile folosite pentru sesiuni dure de benching se numeau consumabile, deoarece chip-urile se degradau dupa plimbari indelungate la voltaje mai mari de 2.4v. De-abia in cursul anului acesta au aparut pe piata memorii DDR2 de o densitate mai mare (2x2GB) care pot functiona la frecvente foarte mari, cu latente decente (CL5) si voltaje mult mai scazute.  Provenienta acestor chip-uri nu a fost identificata inca, insa acestea se adreseaza in special utilizatorilor care isi doresc frecvente cat mai mari in utilizarea zilnica, si nicidecum maniacilor scorurilor cat mai bune.

.

.

Memoria DDR3 a debutat destul de timid, primele kituri facandu-si aparitia cu mult inainte ca platformele care folosesc la maxim acest tip de memorie sa existe pe piata. Controller-ul integrat in chipset-ul P35 nu a putut pune in valoare memoriile DDR3, si de-abia odata cu aparitia chipset-ului X48 putem vorbi despre DDR3 ca despre o tehnologie competitiva. Pentru aceasta platforma, cele mai apreciate de overclockeri au fost modulele echipate cu IC-uri Micron D9JNM si mai ales Micron D9GTS / GTR, module capabile de frecvente ridicate si latente stranse. Si daca in cazul JNM-urilor scalarea cu voltajul se oprea undeva in jurul valorii de 2v, GTS-urile straluceau cu adevarat la 2.1-2.3v, voltaje numai bune pentru a obtine 1000MHz 7-6-5-15.

Ei bine, acest tip de memorii au avut momentul lor de glorie, insa, in urma cu un an de zile o noua platforma isi facea aparitia, aducand o schimbari majore de arhitectura din partea celor de la Intel. Procesoarele Intel Core i7 au fost primele procesoare Intel cu controller de memorie integrat, acest lucru aducand in prim plan necesitatea utilizarii unor kituri DDR3 capabile sa functioneze cu un voltaj scazut (pana in 1.65v, conform recomandarilor Intel). Evident, batranele GTS-uri sau JNM-uri nu puteau oferi frecvente destul de ridicate si latente destul de stranse folosind un voltaj atat de mic, astfel incat nevoia unor IC-uri destinate special platformei X58 a devenit stringenta. Astfel, piata s-a impartit incet, incet intre Samsung-urile HCF0 si Elpida J1108BBSE-DJ-F, chip-uri capabile de DDR3 2000 CL9 la 1.65v, sau chiar DDR3 2000 CL8, pentru un voltaj putin mai ridicat. Ei bine, power-userii si overclockerii aveau nevoie de ceva mai extrem, capabil de frecvente mari dar si de latente cat mai stranse. Si daca acel “ceva” a fost limitat pe X58 datorita interdependentei intre frecventa maxima a memoriilor si frecventa controller-ului de memorie (Uncore), si am vazut numai latente foarte stranse, odata cu aparitia platformelor P55 si a procesoarelor cu nucleu Lynnfield, lucrurile s-au schimbat, si “ceva”-ul monstruos a putut fi dezlantuit la adevarata sa capacitate.