Rezultate

Am inceput la DDR5-6000, unde am pastrat CL26 si tensiunile VDD si VDDQ de 1.45V din profilul EXPO. Pornind de la aceste setari, am urmarit sa strangem manual sublatentele dupa logica implementata in profilul EXPO ULL, aparut dupa lansarea acestor module. Am redus tRCD si tRP de la 35 la 34 de cicluri fiecare. La tRAS am avut mai mult loc de manevra, coborand de la 72 la 32 de cicluri, ceea ce ne-a permis sa reducem si tRC de la 107 la 66 de cicluri.

Am obtinut astfel un set de latente primare de 26-34-34-32, fata de 26-35-35-72 in profilul EXPO. In ceea ce priveste latentele secundare, am setat tRRDS la 4 cicluri, tRRDL la 8 cicluri si tFAW la 20 de cicluri. Pentru tRFC am folosit o valoare de 500 de cicluri, echivalentul a 166.7ns la DDR5-6000.

• DDR5-6000 26-34-34-32, 1.45V

La DDR5-8000, primul obstacol a fost chiar initializarea memoriei. Pe GIGABYTE X870 AORUS Infinity, simpla selectare a celui de-al doilea profil EXPO nu a fost suficienta pentru a trece de etapa de training. Am obtinut primul boot dupa ce am setat manual ambele terminatii, RttNomRd si RttNomWr, la RZQ/6 (40 ohmi).

Odata trecuta aceasta etapa, am putut strange si latentele. In final, cei 96GB au functionat stabil in Prime95 la DDR5-8000 cu latente de 34-45-45-60 si tRC de 105 cicluri, fata de 36-47-47-102 si tRC de 149 de cicluri in profilul EXPO. Tensiunile VDD si VDDQ au ramas la 1.45V. Memoria a functionat la 4000MHz, iar controller-ul la 2000MHz, in raport UCLK:MCLK de 1:2. Am pastrat FCLK la 2000MHz, la fel ca in scenariul DDR5-6000.

Merita sa ne uitam si la tRFC. La prima vedere, cele 672 de cicluri de la DDR5-8000 par o setare mult mai relaxata decat cele 500 de cicluri de la DDR5-6000. Daca tinem cont de durata unui ciclu la cele doua frecvente, diferenta este de numai 1.3ns, de la 166.7ns la 168ns. Si in cazul latentei CAS valorile sunt apropiate, cu un usor avantaj pentru DDR5-8000 CL34, unde obtinem 8.50ns fata de 8.67ns la DDR5-6000 CL26.

• DDR5-8000 34-45-45-60, 1.45V