Review – HyperX Fury DDR4 3200 CL16 2X32GB – Samsung M-Die
Rezultate
Kitul primit de noi la teste are doua profile XMP/A-XMP, mai precis DDR4 3200 16-20-20-39 1T 1.35v, respectiv DDR4 3000 16-19-19-36 1T 1.35v, IC-urile fiind produse in Taiwan, la inceputul lunii Iulie.
Pentru testul de astazi am utilizat o tensiune de alimentare de 1.4v si am folosit o tensiune de 1.15v pentru vSOC, incercand sa strangem latentele pastrand Command Rate 1T. Astfel, pentru DDR4 3200, am reusit sa rulam stabil utilizand latentele 16-19-19-38 1T, in timp ce pentru pentru DDR4 3600 am utilizat 20-22-22-44 1T.
Din pacate, indiferent de tensiunea de alimentare aplicata, respectiv de latentele setate, nu am reusit sa trecem de DDR4 3600, aceasta fiind limita la care poate ajunge in momentul de fata combinatia dintre HyperX Fury DDR4 3200 CL16 2X32GB si controller-ul nostru de memorie.
Comentarii
Niciun comentariu la: Review – HyperX Fury DDR4 3200 CL16 2X32GB – Samsung M-Die
Pingback: Review – HyperX Fury DDR4 3200 CL16 2X32GB – Samsung M-Die - 1iT.ro - Stiri IT, noutati si tehnologie