VRM-ul este alimentat dintr-o mufa EPS 8-pin si una ATX cu 4 pini, acestea fiind mai mult decat suficienta atat pentru Haswell-E cat mai ales pentru urmasul sau (Broadwell-E) ce ar trebui sa aibe un TDP mai mic avand o litografie pe 14nm. Dand jos radiatoarele ca sa analizam mai indeaproape etajul de alimentare pentru procesor, realizam faptul ca acestea sunt construite exclusiv din aluminiu si sunt fixate de PCB prin suruburi, avand chiar si backplate.

VRM-ul este construit din 12 faze de alimentare fiind extrem de solid: cate doua tranzistoare duble MOSFET Texas Instruments NexFET per faza si bobine verticale de 60A.

Filtrarea tensiunii procesorului este realizata cu capacitori Nichicon FP12K certificati pentru o functionare de minim 12000 ore. Etajul de alimentare al fiecarui banc de memorii DDR4 este alcatuit din 2 faze ce folosesc aceleasi tranzistoare MOSFET numai ca bobinele sunt de putere ceva mai mica.