Metodologie

Acum aproape 2 ani publicam primul round-up de memorii DDR4 pe platforma X99, moment in care afirmam:

“Comportamentul memoriei DDR4 este complet diferit fata de ceea ce eram obisnuiti in cazul DDR2 si DDR3. In primul rand latentele tRCD si tRP nu mai scaleaza cu tensiunea de alimentare aproape deloc ci sunt dependente in proportie de 95% de frecventa de lucru (pentru restul de 5% avem inca o scalare cu voltajul, dar doar cand suntem la limita de stabilitate). Similar cu DDR3-urile de generatie noua, tRAS-ul poate fi scazut pana la valori foarte mici (de regula egala cu tRP si / sau tRCD) fara nici o problema.”

Situatia s-a schimbat radicat o data cu aparitia IC-urilor Hynix AFR, care scalau liniar cu voltajul, precum si cu temperaturi reduse. Atunci a fost primul moment in care memoria DDR4 a inceput sa straluceasca, numai ca succesul AFR-urilor a fost limitat, pentru ca Samsung au venit pe piata cu bomba numita B-die. Scalare cu voltajul pana la 2 – 2.1v, CL12 la frecvente de peste 4000MHz precum si secundare / tertiare agresive au facut ca acest IC sa fie adoptat rapid de majoritatea producatorilor. Totusi nu orice kit cu B-die poate obtine 4000MHz CL12, binning-ul este extrem de important, atat cel din fabrica cat si selectarea ulterioara a modulelor.

Scalarea cu voltajul in cazul B-die este de regula 0.1v la 133MHz, de exemplu daca obtinem 3600MHz cu latente 12-12-12-28 la 1.6v atunci vom avea nevoie de 1.7v pentru a obtine 3733MHz cu aceleasi latente si 1.8v pentru 3866MHz. O alte problema pe care multi overclockeri nu o subliniaza este faptul ca latente foarte stranse, de genul 12-12-12-28, sunt posibile doar pe sisteme de operare pe 32biti, sau folosind MAXMEM=4096 (limiteaza memoria folosita la 4GB) pe sisteme de operare pe 64biti. Altfel vom avea parte de instabilitate sau blocari aleatorii.

Recomandarile mele pentru incepatori raman aceleasi: setarea doar a primelor 4 latente principale (tCL – tRCD – tRP – tRAS), restul se vor strange automat daca sunt lasate pe Auto. In functie de placa de baza si de calitatea IC-urilor, Command Rate-ul ar trebui sa mearga 1T pana in jurul frecventei de 3600MHz. Cu Apex si cu un kit bun de B-die, 4000MHz CR 1T nu este o problema, in timp ce cu un kit slab, 3600MHz 1T va aduce grave probleme de stabilitate.

In acest round-up am urmarit frecventele si latentele memoriilor ce pot fi obtinute in regim daily-use, prin urmare am folosit Prime95 pe 64 biti si am incarcat toate memoria disponibila sistemului de operare. Pentru bench am fi obtinut alte rezultate dar pe noi ne intereseaza ceea ce poate obtine utilizatorul normal in conditii uzuale (randari, gaming, office, etc). Desi IC-urile Samsung B-die scaleaza cu cresterea tensiunii, noi ne-am limitat la 1.4 – 1.45v, pentru a fi siguri ca nu afectam fiabilitatea in timp a memoriilor. Cum frecventa maxima poate diferi destul de mult in functie de kit, am ales 3600MHz ca frecventa comuna pentru a vedea cat de performant este kitul respectiv.