LAB501 Taipei Sessions 2025 – G.SKILL – ADN-ul overclocking-ului, de la DDR1 la DDR5

Scris de: , in categoria: Editoriale, Featured Articles, in 29 December, 2025.

DDR4 – epoca dominatiei G.SKILL in segmentul high-end

 

Lansarea DDR4 in 2014 a adus din nou schimbari majore: tensiunea de alimentare scadea la 1.2V, latentele initiale erau destul de mari (CL15–CL16 la 2133–2400 MHz), insa potentialul de crestere in frecventa era urias – dupa cum aveam sa vedem ulterior. Pentru G.SKILL, era DDR4 a insemnat consolidarea definitiva a pozitiei de lider pe piata entuziastilor, datorita unui ingredient esential: Samsung B-die. Acest IC de 8Gb produs de Samsung s-a dovedit a fi elementul-cheie al generatiei DDR4 – capabil atat de frecvente extrem de ridicate, cat si de latente foarte stranse, cu conditia aplicarii unei tensiuni adecvate: 1.35–1.55V in regim de utilizare normala si 1.9–2.1V in scenarii de overclocking extrem.

G.SKILL a fost printre primii producatori care au implementat pe scara larga B-die in kiturile sale de top, in special in seriile Trident Z si Trident Z Royal, obtinand un avantaj clar in materie de performanta si stabilitate. Un detaliu care spune multe despre seriozitatea binning-ului practicat de G.SKILL este setarea agresiva a profilelor XMP, acolo unde tCL = tRCD = tRP – un criteriu de selectie mult mai strict decat media industriei. In consecinta, G.SKILL livra kituri DDR4-3200 14-14-14 si DDR4-3600 16-16-16, in timp ce alti producatori inca se chinuiau cu profile de tip 14-16-16 sau 16-18-18. In momentul in care cresteai tensiunea de alimentare si incepeai sesiunile serioase de overclocking, diferentele se adanceau si mai mult.

 

 

De la celebrele kituri 2×8GB DDR4-3200 CL14 – devenite un etalon absolut pentru platformele Ryzen de prima generatie – pana la variantele ultra-enthusiast DDR4-4600+ destinate recordurilor mondiale pe platforme precum Z490 si Z590 (datorita IMC-ului imbunatatit al generatiei Rocket Lake), toate aveau in comun acelasi nucleu de performanta: Samsung B-die binuit agresiv. Mai tarziu, pe masura ce Samsung a redus productia de B-die si a trecut la C-die, G.SKILL a oferit si kituri construite in jurul unor alternative precum Hynix CJR / DJR sau Micron E-die, destinate segmentelor unde frecventa era prioritara fata de latente – sau unde se cereau capacitati mari (ex. kituri 4×16GB pentru platforme HEDT). Totusi, adevarata “arma secreta” a ramas B-die, dovada fiind multitudinea de recorduri mondiale stabilite sub sigla G.SKILL – o simpla privire pe HWBot confirma acest lucru.

Pe partea de branding, seria Trident Z a devenit sinonima cu performanta in era DDR4. Multe dintre aceste kituri au castigat premii internationale – precum „Cea mai buna serie de memorii” la European Hardware Awards in fiecare an intre 2016 si 2020 – si au fost constant recomandate de publicatii si revieweri din intreaga lume. In esenta, in perioada DDR4, daca iti doreai cele mai rapide memorii, stiai ca G.SKILL va fi primul care impinge stacheta inainte. De la DDR4-3200 CL14 si DDR4-3600 CL16 in 2014, pana la DDR4-4000 CL14 in 2020 si varfuri de gama precum DDR4-4800 CL17 (Samsung B-die) sau DDR4-5333 CL22 (Hynix DJR), fiecare pas in evolutia DDR4 a fost trasat de G.SKILL, adesea cu luni bune inaintea competitiei.

 

 

Comentarii

Lasa-ne un comentariu: