ROUND-UP – 7 kituri de memorii 2x2GB DDR3 peste 2000MHz

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Memorii & Stocare, in 22 June, 2010.

Pentru a obtine un timp de raspuns bun trebuie sa optimizam cat mai mult latentele memoriei. Nu toate latentele trebuie micsorate, acesta este si motivul pentru care am zis “optimizam” si nu “micsoram”. Memoria DRAM este organizata sub forma unei matrici, fiind alcatuita din randuri si coloane. Practic, subsistemul de memorie cauta in memorie intr-un mod automatizat insa dupa principii asemanatoare cu mintea umana; intai identifica randul, apoi coloana, gaseste intersectia lor si citeste sau scrie valoarea. Mai tehnic, voi traduce explicatia data acum cativa ani de un reprezentant al Corsair:

“Pentru a intelege acest lucru haideti sa vedem cum este citita memoria de catre controller-ul de memorie, intr-o versiune simplificata. Prima data, northbridge-ul acceseaza randul (ROW) din matricea memoriei plasand o adresa pe pinii de adresa ai memoriei si activand semnalul RAS. Apoi, trebuie sa asteptam cateva cicluri de ceas (timp cunoscut si ca RAS-to-CAS Delay, tRCD). Apoi, adresa coloanei este pusa pe pinii de adresa, si semnalul CAS este activat, pentru a accesa COLOANA corecta din matricea memoriei. Apoi, asteptam cateva cicluri de ceas (timp cunoscut ca CAS Latency, tCL) si apoi datele cerute apar pe pinii memoriei RAM”

Memoriile au trecute in specificatii 5 timing-uri principale despartite de “-“: tCL – tRCD – tRP – tRAS. Din explicatia de mai sus ati aflat ce inseamna 2 dintre acestea, tCL si tRCD, precum si de ce micsorarea acestora este extrem de importanta pentru micsorarea timpului de raspuns al memoriei. In continuare vom analiza celelalte 3 latente principale, precum si alte cateva sublatente importante care pot fi optimizate la nivelul BIOS-ului in sectiunea “Advanced timings” (depinde de modelul placii de baza).

.

  • tRP (ROW Precharge Time) – numarul de cicli de ceas necesari intre comanda de preincarcare si deschiderea efectiva a randului urmator.

.

  • tRAS (ROW Active Time) – numarul de cicli de ceas necesari intre comanda de activare a bancului de memorie si comanda de preincarcare. In mod normal tRAS = tCL + tRCD + tRP, o valoare prea mare putand penaliza performanta iar o valoare prea mica putand cauza pierderi de date.

.

  • tRC (ROW Cycle Time) – numarul minim de cicli necesari pentru un ciclu complet, ce la activarea randului pana la preincarcare. In mod normal tRC = tRAS + tRP, o valoare prea mare putand penaliza performanta iar o valoare prea mica putand cauza pierderi de date.

.

  • Command Rate (CR) – aceasta setare realizeaza sincronizarea cu magistrala sistemului. Daca este setata in mod 1T atunci memoria efectueaza comenzi in acelasi ciclu de ceas cu magistrala sistemului, pe cand o setare 2T inseamna ca memoria va efectua comenzi o data la 2 cicluri de ceas. Pentru o latime de banda mai mare este de preferat setarea 1T, iar pentru stabilitate mai mare 2T.

.

  • Bank Interleave – este de preferat a fi setat pe valoarea cea mai ridicata pentru a permita accesul northbridge-ului simultan la mai multe bancuri de memorie.

.

  • tREF (Refresh Period) – reprezinta timpul minim de refresh al bancurilor de memorie iar de obicei o valoare mai mare poate aduce o performanta mai buna.

.

  • tRFC (Refresh Cycle Time) – numarul de cicli de ceas necesari intre comanda de refresh (REF) si prima comanda de activare pe acelasi rank (ACT). O valoare mai mica inseamna o performanta mai buna (pentru memorii DDR3 in jurul frecventei de 2000MHz o valoare stransa este in preajma valorii de 70).

.

  • tFAW (Four Activate Window) – specifica fereastra de timp in care 4 activari pot primi acelasi rank. Modificarea ei nu are absolut nici un efect asupra performantei.

.

  • tWR (Write Recovery Time) – numarul de cicli de ceas necesari intre terminarea unei scrieri valide si preincarcarea unui banc activ. De obicei se poate micsora fara probleme cu 2-3 cicli de ceas la memoriile bune, cu un efect benefic asupra performantei.

.

  • tWTP (Write to Precharge) – este o intarziere care se calculeaza dupa urmatoarea formula: tWTP = tWR + 8 + (tCL -1)

.

  • tRTP (Read to Precharge Delay) – numarul de cicli de ceas necesari intre o comanda de citire si o comanda de preincarcare

.

  • tRRD (Activate to Activate Delay) – numarul de cicli de ceas necesari intre 2 activari de randuri in bancuri diferite de pe acelasi rank. Micsorarea lui imbunateste de obicei performanta.

.

  • RTL (Round Trip Latency) – numarul de cicli ai uncore-ului necesari intre o citire a datelor si sosirea efectiva a datelor in controller-ul de memorie (CPU). Aceasta latenta este specifica procesoarelor Core i5 / i7 (Bloomfield / Lynnfield / Gulftown) si are o influenta decisiva asupra subsistemului de memorie. Pentru benchmark-uri usoare (SuperPI / PIFast) valoare RTL setata automat de placa de baza poate fi redusa cu 1-2 unitati fata de valoarea setata automata de placa de baza. Trebuie sa amintim ca fiecare canal de memorie are latenta RTL proprie, acestea fiind diferite intre ele si trebuie reduse impreuna. Valoarea RTL este crescuta automat in functie de frecventa uncore-ului, drept urmare o frecventa mare a uncore-ului si o valoare RTL scazuta ofera un spor de performanta FOARTE mare in cazul arhitecturii Core i5 / i7.

.

  • B2B CAS# Delay (Back-2-Back CAS# Delay) – este o setare specifica procesoarelor Core i5 / i7 (Bloomfield / Lynnfield / Gulftown) si oricat de neinteresant ar parea numele este setarea care afecteaza cel mai mult performanta memoriilor. O setare de 0 ofera cea mai mare performanta din partea subsistemului de memorie, pe cand o setare de 32 va oferi un overclocking extraordinar al memoriilor in timp ce latimea de banda va fi la pamant. Recomandarea e simpla: daca vreti sa va impresionati prieteni cu frecvente mari la memorii folositi B2B setat la valoarea maxima, pe cand daca doriti sa stoarceti si ultima picatura de performanta din memorii setati B2B la valoarea minima la care sistemul e stabil (ar trebui sa fie 0 pentru memorii bune).

Comentarii

14 comentarii la: ROUND-UP – 7 kituri de memorii 2x2GB DDR3 peste 2000MHz

  1. cat a scris pe:

    KingMax Hercules 2200Mhz pe cand ? 🙂

  2. matose Post author a scris pe:

    Cand o sa primim la test vreun sample 🙂

  3. Alex Stanescu a scris pe:

    exceptional, ca de obicei

  4. Odorizante Auto a scris pe:

    Bun articolul.
    Memoria RAM nu este cea mai subestimata coponenta in nici un caz. De fapt o fi de necunoscatori. Eu in momentul de fata nefiind un gamer, as pune un accent mai mare pe memorai ram decat pe placa video, chiar si pe procesor nu mi-ar folosia un dual de 3ghz 🙂

  5. Victor a scris pe:

    Am si eu o intrebare-problema legata de memoriile la 2000 Mhz. Am un sistem cu CPU Core i7 940 si 12 Gb de RAM Kingstone HyperX CL9 la 2000 Mhz (2 kituri a cate 6) – numai ca, memoriile le tin la 1600 Mhz caci daca le setez normal la 2000 conform specificatiilor – sistemul de operari in proprietati, imi arata ca am 12 GB dar foloseste doar 2 Gb si in Task Manager asa si este – doar 2 Gb de memorie ram utilizeaza. De ce oare? Sistem de operare pe 64 de biti W7 ori Windows Server 2008 R2 x64

  6. radu a scris pe:

    te pricepi nu gluma

  7. darco_2 a scris pe:

    no kingmax hercules? era cel putin un kit interesant de testat 🙂

  8. daniel a scris pe:

    pe pagina 2 latenta TFAW(Four Activate Window) apare de doua ori
    articolul a fost excelent in detalii

  9. Avatare a scris pe:

    Bravo baieti. Imi face placere sa mai intru pe aici din cand in cand sa mai citesc cateun articol. Spor la mai multe sample-uri 😉

  10. Ana a scris pe:

    Cine le-a testat? Vreau si eu`

  11. Id-uri a scris pe:

    Multumim pt . informatie .
    Cam tot ce gasim in acest blog este interesant 🙂

  12. Regie proprie a scris pe:

    Unde se pot vedea rezultatele testelor in grafice?

  13. Traduceri legalizate a scris pe:

    Kingston a scos cel mai rapid kit de memorie triple-channel RAM DDR3, ce ruleaza la o frecventa de 2333Mhz. Deocamdata e scump rau.

  14. articole copii a scris pe:

    Unde pot vedea testele de eficienta?

Lasa-ne un comentariu: