Glory to the RAM

 
Ei bine, una dintre principalele schimbari aduse de lansarea chipset-ului X570, concomitent cu lansarea procesoarelor Ryzen din cea de-a treia generatie, bazate pe arhitectura Zen 2, a fost modul in care procesorul comunica cu memoria. Datorita modificarilor implementate la acest capitol, procesoarele Zen2, impreuna cu platforma X570, pot atinge acum frecvente mult mai ridicate pentru memoria RAM, ceea ce era greu de imaginat in cazul generatiilor Zen si Zen+.

Din acest motiv, mi-am petrecut o buna parte din luna Iulie analizand scalarea performantei cu frecventa si latentele, in incercarea de a va ajuta sa va formati o parere cat mai exacta legata de ce tip de configuratie este potrivit pentru aceasta platforma. Rezultatul acestor teste poate fi consultat aici, in prima parte a studiului de scalare, pe care va recomand calduros sa il cititi daca nu ati facut-o deja, deoarece acolo am explicat cele mai importante elemente ale subansamblului memorie / procesor.

Totusi, chiar daca am publicat cel mai amplu studiu de scalare a performantei procesoarelor AMD Ryzen 3000 cu memoria RAM, rezultatele acestui studiu erau bazate pe un singur tip de memorii, ati ghicit, echipate cu IC-uri Samsung B-Die. Practic, utilizand acelasi kit de memorie, am incercat sa analizam impactul frecventei, al latentelor si a modurilor de functionare sincron, respectiv asincron, asupra performantei, ruland pentru asta intreaga noastra suita de teste.

Astfel, am aflat ca pentru a obtine performanta maxima trebuie sa utilizam o configuratie 1:1 cu o frecventa cat mai ridicata, DDR4 3733 1:1, cu latente nu foarte relaxate, de exemplu 16-16-16-39. Evident, in utilizarea zilnica, nu vom pierde prea multa performanta daca vom utiliza o configuratie DDR4 3600 16-16-16 sau DDR4 3200 14-14-14, cele mai mari diferente fiind inregistrate in AIDA, nu in jocuri sau aplicatii practice. Desigur, maximul de performanta in cazul procesorului AMD Ryzen 9 3900X este o configuratie DDR4 3800 1:1 cu latente cat mai stranse, adica frecventa cea mai ridicata unde putem rula sincron, cu latente cat mai stranse.

Ei bine, chiar daca am incercat sa oferim o imagine cat mai completa asupra acestui subiect si speram ca v-am ajutat in alegerea kitului de memorii, era clar ca prima parte a studiului nostru nu trata subiectul in asamblu, lasand o serie de intrebari fara raspuns. Cum se comporta memoriile echipate cu alte IC-uri? Cum se comporta memoriile cu densitate ridicata? Ce se intampla daca utilizam 4 stick-uri de memorie?

Asa ca, imediat dupa ce am terminat prima parte a studiului de scalare, ne-am apucat de treaba si am trecut la partea a doua. Astfel, am testat separat atat kit-uri de memorie Samsung B-Die dual-rank, cat si kituri de memorie echipate cu IC-uri Hynix CJR, respectiv kituri de memorie echipate cu IC-uri Micron E-Die si v-am prezentat rezultatele obtinute cu fiecare parte in cate un review dedicat. Apoi, am testat comportamentul platformei cu 4 stick-uri de memorie echipata cu IC-uri Samsung B-Die, am folosit un kit high-end de memorii de acest fel pentru a atinge DDR4 4800 si ne-am apucat sa organizam toate rezultatele.

Ceea ce vedeti in acest articol, este modul in care mi-am petrecut eu o buna parte din aceasta vara, testand memorii, alaturi de AMD Ryzen 9 3900X si excelenta MSI X570 Godlike, pentru a obtine o comparatie cat mai exacta intre mai multe tipuri de IC-uri. Astfel, daca in prima parte incercam sa vedem ce combinatii de frecventa si latente este mai potrivita, astazi vom vedea daca putem sa utilizam si kit-uri semnificativ mai accesibile pentru a obtine performante similare cu ceea ce ofera costisitoarele Samsung B-Die.