AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

2 x 16GB Samsung B-Die

 
Prin comparatie, utilizarea unui kit de memorii B-Die dual-rank, cum este GSkill TridentZ Neo DDR4 3200 CL14 2 x 16GB are ca efect obtinerea unor rezultate superioare configuratiei cu 4 stick-uri B-Die single-rank. Si de aceasta data ne-am oprit la DDR4 4000 18-18-18-39, insa am putut strange latentele la DDR4 3800 1:1 pana la 16-16-16-36 2T, ceea ce ne-a permis obtinerea unor performante semnificativ mai bune decat cele atinse utilizand 4 stick-uri de memorie.

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: