AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR
DDR4 3200 1:1
Acum ca am vazut cum se comporta individual cele 5 configuratii testate de noi ( 2 x 8GB B-Die single-rank, 4 x 8GB B-Die single-rank, 2 x 16GB B-Die dual-rank, 2 x 8GB Hynix CJR si 2 x 8GB Micron E-Die, a venit momentul sa comparam direct rezultatele obtinute de acestea, concentrandu-ne asupra fiecarei frecvente in parte. Astfel, pentru DDR4 3200, cea mai buna performanta in testul de citire o obtine configuratia 4 x 8GB, urmata indeaproape de kit-ul Micron E-Die, respectiv kitul 2 x 16GB.
In testul de scriere, cea mai buna performanta o obtine kitul Micron E-Die, urmat de kitul HyniX CJR, kitul 2 x 8GB Samsung B-Die ocupand locul 3. In testul de copiere cea mai buna performanta o obtine kitul 2 x 16GB, urmat de kitul 2 x 8GB B-Die, restul concurentilor obtinand rezultate semnificativ mai mici. La capitolul latenta, kitul 2 x 8GB B-Die obtine cea mai buna performanta, la egalitate cu kitul HyniX CJR, fiind urmate indeaproape de kitul Micron E-Die.
Comentarii
Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!