AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

DDR4 3800 1:1 Tweaked

 
Evident, kitul Samsung B-Die 2 x 8GB poate obtine cele mai strane latente pentru DDR4 3800 1:1 (cu sublatentele de asemenea tweak-uite), motiv pentru care obtine unele dintre cele mai bune rezultate din tot studiul nostru. Astfel, cea mai buna performanta in testul de citire o obtine kit-ul 2 x 8GB B-Die, urmat de configuratia 2 x 16GB, respectiv kitul Micron E-Die. In testul de scriere, cea mai buna performanta o obtine kitul 2 x 8GB B-Die, urmat de kitul Micron E-Die, respectiv Hynix CJR.

In testul de copiere cea mai buna performanta o obtine kitul 2 x 16GB, urmat de kitul 2 x 8GB Samsung B-Die, respectiv Micron E-Die . La capitolul latenta, kitul 2 x 8GB B-Die obtine din nou cea mai buna performanta, urmat de kiturile HyniX CJR, respectiv kitul Micron E-Die si kit-ul 2 x 16GB, le egalitate.

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: