AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

DDR4 4400-4800 1:2

 
Kit-ul 2 x 16GB, respectiv configuratia 4 x 8GB Samsung B-Die nu pot trece de DDR4 4000, drept urmare am sintetizat rezultatele obtinute mai sus intr-un singur set de grafice. Aici am introdus rezultatele la DDR4 4400 obtinute cu 2 x 8GB B-Die, 2 x 8GB Hynix CJR si 2 x 8GB Micron E-Die, respectiv rezultatele obtinute cu 2 x 8GB B-Die la DDR4 4800 si 2 x 8GB Micron E-Die la DDR4 4800.

Cea mai buna performanta in testul de citire o obtine configuratia Micron E-Die DDR4 4400, urmata de kit-ul Hynix CJR DDR4 4400, respectiv kitul B-Die DDR 4400. In testul de scriere, cea mai buna performanta o obtine kitul B-Die DDR 4400, urmat de kitul Hynix CJR DDR4 4400, kitul Micron E-Die DDR4 4400 ocupand locul 3.

In testul de copiere cea mai buna performanta o obtine kitul B-Die DDR4 4400, urmat de kitul Micron E-Die DDR4 4400, respectiv kitul B-Die DDR4 4800. La capitolul latenta, kitul B-Die DDR4 4800 obtine cea mai buna performanta, urmat de configuratiile B-Die DDR4 4400, respectiv Micron E-Die DDR 4 4800.

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: