AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

2 x 8GB Hynix CJR

 
Kit-ul HyperX Fury RGB DDR4 3200 CL16 a fost prima surpriza pe care am avut-o in pregatirea acestui test, oferind performante destul de apropiate de ceea ce am putut vedea in cazul IC-urilor B-Die, cu un pret semnificativ mai redus, datorita utilizarii IC-urilor Hynix CJR.

Un avantaj a fost dat si de faptul ca putem utiliza Command Rate 1T, insa nu putem folosi latente la fel de stranse la fel ca in cazul memoriilor B-Die, ceea ce se reflecta de altfel si in performanta. De asemenea, frecventa maxima pe care am putut sa o atingem a fost DDR4 440019-23-23-42.

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: