AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

Concluzii

 
Ok, ok, stiu… prea multe cifre si grafice. Credeti-ma ca stiu… acum inchipuiti-va cum este sa testezi toate aceste kit-uri pentru a obtine toate aceste cifre si grafice. Cam asta este chintesenta publicatiilor tehnice, unde activeaza oameni pasionati, asa cum incercam sa va explic in introducerea acestui articol. Dincolo de materiale video sau explicatii pe intelesul tuturor, mai avem nevoie si de materiale de acest gen, in care disecam cu adevarat noua platforma, incercand sa raspundem unor intrebari pe care orice potential utilizator al acestei platforme ar trebui sa si le puna. Sau cel putin, asta imi place mie sa cred…

Ei bine, consider ca astazi am reusit sa aflam raspunsul la o serie de intrebari importante. Astfel, cred ca deja este clar ca maximul de performanta poate fi atins in momentul in care rulam sincron (fClk:uClk:mClk 1:1) la cea mai mare frecventa pe care ne-o permite controller-ul de memorie, in cazul nostru DDR4 3800, utilizand un set de latente cat mai stranse. In aceste conditii, un kit de memorii echipat cu IC-uri Samsung B-Die de buna calitate (high-bin) va obtine cele mai bune rezultate, urmat indeaproape de un kit de memorii echipat cu IC-uri Micron E-Die de buna calitate.

Cei care isi doresc o cantitate mai mare de RAM in sistem pot opta pentru un kit de B-Die-uri dual-rank de 2 x 16GB, acesta avand performante foarte bune, net superioare unei configuratii 4 x 8GB. Nici kit-ul de memorii echipat cu IC-uri Hynix CJR nu este mai prejos, obtinand rezultate apropiate. Si asta in conditiile in care discutam despre AIDA Cache & Memory Benchmark, adica testul care scoate cu adevarat in evidenta si cele mai mici diferente intre configuratii.

In aplicatii uzuale, diferentele pe care le-am intalnit in testul de astazi sunt semnificativ mai reduse, asa cum am putut vedea in prima parte a studiului nostru de scalare, unde am rulat intreaga noastra suita de aplicatii si jocuri. Drept urmare, cred ca lucrurile sunt destul de clare in momentul de fata, iar situatia s-a schimbat dramatic fata de ceea ce vedeam in cazul primelor doua generatii de procesoare AMD Ryzen.

Astfel, in termeni absoluti, un kit de memorii echipat cu IC-uri Samsung B-Die de buna calitate are potentialul de a oferi cele mai bune performante, insa IC-urile Micron E-Die ofera performante similare, venind de asemenea cu un pret semnificativ mai scazut. Nici memoriile echipate cu IC-uri Hynix CJR nu se lasa mai prejos, oferind de asemenea performante bune, tot pentru un pret mai mic decat al costisitoarelor B-Die-uri.

Astfel, daca in momentul lansarii primei generatii AMD Ryzen IC-urile Samsung B-Die erau singura optiune viabila pentru a obtine cea mai buna performanta, in cazul de fata lucrurile s-au schimbat, utilizatorul avand la dispozitie o multitudine de optiuni, inclusiv memorii cu adevarat accesibile care ofera performante demne de invidiat. In final, decizia ii apartine fiecaruia si speram ca ambele parti ale studiului nostru de scalare au reusit sa va fie de ajutor in alegerea kit-ului de memorii cel mai potrivit pentru voi.

Evident, au lipsit anumite configuratii din test (de exemplu 4 x 8GB Hynix CJR sau Micron E-Die, 2 x 16GB Hynix CJR sau Micron E-Die), insa pur si simplu nu am avut astfel de configuratii la dispozitie pentru teste. In schimb, pentru alte intrebari care au ramas fara raspuns, cum ar fi comportamentul memoriilor pe platforme ceva mai accesibile… s-ar putea sa existe si o parte a 3-a… In fond, suntem oameni pasionati de tehnica…

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: