AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR
4 x 8GB Samsung B-Die
Pentru a vedea cum se comporta platforma X570 impreuna cu 4 stick-uri de memorie, am utilizat doua kit-uri identice GSkill SniperX, unul dintre ele fiind kitul original folosit in primul test de scalare. Din pacate, topologia daisy-chain, gandita pentru utilizarea impreuna cu doua stick-uri de memorie, respectiv stress-ul aplicat controller-ului de memorie, au avut ca efect performante semnificativ mai scazute decat cele obtinute utilizand doua stick-uri de memorie. Astfel, frecventa maxima atinsa a fost DDR4 4000 18-18-18-39, iar cel mai strans set de latente pe care l-am putut utiliza la DDR4 3800 1:1 a fost 16-17-17-39 2T.
Comentarii
Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!
Pingback: Review - Crucial Ballistix Sport LT DDR4 3200 CL16 2 x 16GB & 4 x 16GB - Micron E-Die dual-rank - lab501
Pingback: AMD Ryzen 3000 - Part X - AMD Ryzen 3 3300X & AMD Ryzen 3 3100 - lab501