AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

4 x 8GB Samsung B-Die

 
Pentru a vedea cum se comporta platforma X570 impreuna cu 4 stick-uri de memorie, am utilizat doua kit-uri identice GSkill SniperX, unul dintre ele fiind kitul original folosit in primul test de scalare. Din pacate, topologia daisy-chain, gandita pentru utilizarea impreuna cu doua stick-uri de memorie, respectiv stress-ul aplicat controller-ului de memorie, au avut ca efect performante semnificativ mai scazute decat cele obtinute utilizand doua stick-uri de memorie. Astfel, frecventa maxima atinsa a fost DDR4 4000 18-18-18-39, iar cel mai strans set de latente pe care l-am putut utiliza la DDR4 3800 1:1 a fost 16-17-17-39 2T.

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: