AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

2 x 8GB Samsung B-Die

 
Pentru a compara rezultatele ne-am rezumat de aceasta data la AIDA, testul Cache & Memory fiind de altfel cel mai sensibil la diversele configuratii de memorie folosite. Evident, kit-ul GSkill SniperX single-rank echipat cu IC-uri Samsung B-Die va este bine cunoscut, el fiind de altfel vedeta primei parti a acestui studiu. Cu ajutorul sau am descoperit faptul ca o frecventa sincron cat mai ridicata, cu latente cat mai stranse, este de preferat unei frecvente superioare in mod 1:2.

Totusi, pentru a duce pana la cap povestea IC-urilor B-Die single-rank, am folosit un kit de memorii GSkill TridentZ RGB DDR4 4600, cu ajutorul caruia am putut rula testele la DDR4 4800 18-22-22-44. Aparent, in conditii normale de utilizare (racire pe aer), DDR4 4800 este limita controller-ului nostru de memorie, orice incercare de a rula mai sus avand ca efect aparitia instabilitatii sistemului.

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: