AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

Scris de: , in categoria: Featured Articles, Procesoare & Chipseturi, in 24 September, 2019.

DDR4 3600 1:1

 
Pentru DDR4 3600, cea mai buna performanta in testul de citire o obtine configuratia 2 x 16GB, urmata de kit-ul Micron E-Die, respectiv kitul HyniX CJR. In testul de scriere, cea mai buna performanta o obtine kitul Micron E-Die, urmat de kitul 2 x 16GB, kitul 2 x 8GB Samsung B-Die ocupand locul 3.

In testul de copiere cea mai buna performanta o obtine kitul 2 x 16GB, urmat de kitul Micron E-Die si de kitul 2 x 8GB Samsung B-Die . La capitolul latenta, kitul 2 x 8GB B-Die obtine cea mai buna performanta, la egalitate cu kiturile HyniX CJR si kitul Micron E-Die

 

Comentarii

Un comentariu la: AMD Ryzen 3000 – Part VI – DDR4 – Samsung B-Die vs Micron E-Die vs Hynix CJR

  1. Nicu a scris pe:

    Felicitari pt efort, foarte bun test/articol!

Lasa-ne un comentariu: